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美光流片第四代3D闪存:全新替换栅极架构

作者:admin 发布时间:2019-10-05 23:44:02 浏览次数:195
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  美光宣告,现已完结第四代3D NAND闪存的初次流片,应用了全新的替换栅极(RG)架构,并方案在下一年投入量产。

  美光第四代3D闪存堆叠了最多128层,持续运用阵列下CMOS规划思路,不过美光与Intel运用多年的起浮栅极(floating gate)换成了替换栅极(replacement gate),以缩小尺度、下降本钱、提高功能,升级到下一代制美光流片第四代3D闪存:全新替换栅极架构作工艺也更简单。

  这种新架构是美光单独研制的,并没有Intel的协助,两边现已越走越远。

  不过,美光流片第四代3D闪存:全新替换栅极架构完结流片仅仅美光新闪存的一步测验,美光还没有方案将任何一条产品线转向RG架构,暂时也不会带来真实的本钱下降。

 美光流片第四代3D闪存:全新替换栅极架构 现在,美光的首要任务是扩展96层3D闪存的产能,下一年将其应用到各条产品线

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